摘要：
金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种集成沟道二极管SiCMOSFET器件及制备方法“公开号CN202410554028.3,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体等我继续说。
...
金融界2024年6月21日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种集成沟道二极管SiCMOSFET器件及制备方法“公开号CN202410554028.3,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种集成沟道二极管SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体等我继续说。
且位于第一层叠结构的不同区域的隔离结构从第一层叠结构表面开始向下贯穿不同数量的半导体材料层，以使得第一层叠结构的不同区域内形成不同的光电二极管区域。本申请能够制造具有不同光电二极管的图像传感器，并且无需采用高能量离子注入方式形成光电二极管区域，因而避免了是什么。
╯＾╰〉
qie wei yu di yi ceng die jie gou de bu tong qu yu de ge li jie gou cong di yi ceng die jie gou biao mian kai shi xiang xia guan chuan bu tong shu liang de ban dao ti cai liao ceng ， yi shi de di yi ceng die jie gou de bu tong qu yu nei xing cheng bu tong de guang dian er ji guan qu yu 。 ben shen qing neng gou zhi zao ju you bu tong guang dian er ji guan de tu xiang chuan gan qi ， bing qie wu xu cai yong gao neng liang li zi zhu ru fang shi xing cheng guang dian er ji guan qu yu ， yin er bi mian le shi shen me 。
ˋ＾ˊ〉-#
刻蚀第一层叠结构至刻蚀停止层，以形成隔离结构且使得第一层叠结构中形成由隔离结构隔离出来的光电二极管区域。本申请能够制造具有不同光电二极管的图像传感器，并且无需采用高能量离子注入方式形成光电二极管区域，因而避免了高能量离子注入方式导致的衬底损伤和串扰加重的等会说。
层之上的第一栅极和第一栅介质层，所述第一栅极外接栅极电压；靠近所述第二n型源区一侧且凹陷在所述n型半导体层内的第二栅极和第二栅介质层；与所述第一n型源区和所述第二栅极电性连接的源极金属层，所述源极金属层与所述p型体区之间形成p‑n结二极管结构。本文源自金融界
位于所述p型体区内的钳位栅，所述钳位栅通过第一栅介质层与所述p型体区隔离；与所述n型源区和所述钳位栅电性连接的源极金属层，所述源极金属层与所述p型体区之间形成p‑n结二极管结构；位于所述n型半导体层之上的控制所述p型体区内的电流沟道的开启和关断的栅极结构。本文源后面会介绍。
⊙﹏⊙‖∣°
金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种二极管叠片及其制备方法“公开号CN202410623605.X,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种二极管叠片及其制备方法，涉及半导体技术领域。采用芯片叠片的方式替代传统还有呢？
金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“提高工作电流的旁路轴向二极管及其组合框架“授权公告号CN221176214U,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，提高工作电流的旁路轴向二极管及其组合框架。涉及半导体技术领等会说。
证券之星消息，根据企查查数据显示扬杰科技(300373)新获得一项实用新型专利授权，专利名为“提高工作电流的旁路轴向二极管及其组合框架”，专利申请号为CN202323195620.9,授权日为2024年6月18日。专利摘要：提高工作电流的旁路轴向二极管及其组合框架。涉及半导体技术领域是什么。
●ω●
金融界2024年6月14日消息，天眼查知识产权信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司取得一项名为“一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构“的专利，授权公告号CN221150008U,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结等我继续说。
ゃōゃ
金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高HV-H3TRB可靠性能力的二极管及制备方法”，公开号CN202410623582.2,申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种提高HV‑H3TRB可靠性能力的二极管及制备方法，涉及半等会说。
∪ω∪
发表评论