摘要：
金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，西安超滤环保科技股份有限公司取得一项名为“一种低温甲醇洗驰放气脱硫零排放系统及工艺“授权公告号CN110404374B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种低温甲醇洗驰放气脱硫零排放系统及工艺。该工艺具神经网络。
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金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，西安超滤环保科技股份有限公司取得一项名为“一种低温甲醇洗驰放气脱硫零排放系统及工艺“授权公告号CN110404374B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种低温甲醇洗驰放气脱硫零排放系统及工艺。该工艺具神经网络。
金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，珠海格力电器股份有限公司取得一项名为“实现多联机空调系统超低温制冷的保温装置及空调系统“授权公告号CN109579155B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示，本发明提供了一种实现多联机空调系统超低温制冷的保温装置及是什么。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 5 yue 8 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， zhu hai ge li dian qi gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ shi xian duo lian ji kong tiao xi tong chao di wen zhi leng de bao wen zhuang zhi ji kong tiao xi tong “ shou quan gong gao hao C N 1 0 9 5 7 9 1 5 5 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 8 nian 1 1 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming ti gong le yi zhong shi xian duo lian ji kong tiao xi tong chao di wen zhi leng de bao wen zhuang zhi ji shi shen me 。
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喷射器的出口与气液分离器的输入口通过第八管线连接。采用本发明的技术方案，在制热时，喷射器将冷媒的膨胀功利用起来，借助喷射器提升压缩机的吸气端压力，提高低温工况下空调系统的制热量和能效比。以满足空调系统高负荷、高压比的需求，提升低温环境下空调系统的制热量和能说完了。
金融界5月7日消息，有投资者在互动平台向兴源环境提问：董秘你好，目前在电池市场上已经有了抗低温电池，可以应用新能源汽车和储能项目上，请问贵公司有没有这方面的技术和规划，现在的技术零下40-60度循环次数是500次，如果能研发到1000次循环充电的话，那将是很大的突破，可合作的好了吧！
证券之星消息，根据企查查数据显示中国石油(601857)新获得一项发明专利授权，专利名为“氢化芳香族化合物的低温脱氢方法”，专利申请号为CN202110945966.2,授权日为2024年5月7日。专利摘要：本发明公开一种氢化芳香族化合物的低温脱氢方法，该低温脱氢方法包括：将富含氢化芳还有呢？
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金融界2024年5月7日消息，据国家知识产权局公告，中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“一种原油低温催化裂解催化剂及其制备方法和应用“公开号CN117983294A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本发明涉及油气田开发技术领域，公开了一种原油低温催化裂解催化剂及后面会介绍。
金融界2024年5月7日消息，据国家知识产权局公告，中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“一种低温高效己烷脱除烯烃吸附剂的制备方法“公开号CN117983180A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本发明涉及有机化工技术领域，特别涉及一种低温高效己烷脱除烯烃吸附剂的好了吧！
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金融界2024年5月7日消息，据国家知识产权局公告，中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“基于烃类低温催化氢转移的地下氢源及其制备方法和使用方法“公开号CN117985651A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本发明涉及油气田开发技术领域，公开了一种基于烃类低温催神经网络。
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将其安装在内置式的辅助扩充头的外侧并固定，工作时，PVC原料管通过内置式的辅助扩充头进行初步扩管之后再扩充。该发明结构简单、拆装操作方便快捷、扩管动作灵活、工作效率高等优点。采用加热扩管以及预先扩管两个方案，能够有效解决由于低温扩管而存在的PVC原料管容易还有呢？
IT之家5 月7 日消息，据韩媒The Elec 报道，SK 海力士正向东京电子(TEL)发送测试晶圆，以测试后者的低温蚀刻设备，有望在未来NAND 闪存生产中导入。目前，提升堆叠层数是提升单颗3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着后面会介绍。
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