摘要：三星电子移动体验部门负责人卢泰文在媒体会上宣布，三星电子率先将“Galaxy AI”应用于最新发布的S24 系列，并计划在今年内通过软件升级，将“Galaxy AI”扩展到部分现有产品， 2024 年内将“Galaxy AI”部署到约1 亿台Galaxy 移动设备上。
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三星电子移动体验部门负责人卢泰文在媒体会上宣布，三星电子率先将“Galaxy AI”应用于最新发布的S24 系列，并计划在今年内通过软件升级，将“Galaxy AI”扩展到部分现有产品， 2024 年内将“Galaxy AI”部署到约1 亿台Galaxy 移动设备上。
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IT之家1 月27 日消息，根据DigiTimes 报道，英特尔即将推出的Lunar Lake MX 平台，将采用三星的LPDDR5X 内存芯片。英特尔计划2024 年底或者2025 年年初推出新一代Lunar Lake MX 芯片，对标苹果的M 系列Apple Silicon 芯片。Lunar Lake 系列芯片将会直接封装内存，意味着用户好了吧！
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I T zhi jia 1 yue 2 7 ri xiao xi ， gen ju D i g i T i m e s bao dao ， ying te er ji jiang tui chu de L u n a r L a k e M X ping tai ， jiang cai yong san xing de L P D D R 5 X nei cun xin pian 。 ying te er ji hua 2 0 2 4 nian di huo zhe 2 0 2 5 nian nian chu tui chu xin yi dai L u n a r L a k e M X xin pian ， dui biao ping guo de M xi lie A p p l e S i l i c o n xin pian 。 L u n a r L a k e xi lie xin pian jiang hui zhi jie feng zhuang nei cun ， yi wei zhe yong hu hao le ba ！
金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“电子装置以及切换电子装置的方法“授权公告号CN112055424B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示，提供了一种电子装置和电子装置操作方法。该电子装置包括：嵌入式用户识别模块(eSIM),嵌入在等我继续说。
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金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包含内置的差分馈电方案的高增益和大带宽天线“的专利，授权公告号CN111656611B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，本公开涉及超越诸如长期演进(LTE)的第4代(4G)通信系统的将被提供用于是什么。
金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“电子装置及其控制方法“的专利，授权公告号CN112640476B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种电子装置可以包括：麦克风；通信电路；存储器；以及处理器。该处理器被配置为：基于电子装置的预等会说。
金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“OLED显示面板、显示设备和执行生物特征识别的方法“授权公告号CN111009556B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，提供了OLED显示面板、包括其的显示设备和执行生物特征识别的方法。该还有呢？
金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“授权公告号CN111146202B,申请日期为2019年11月。专利摘要显示，一种半导体器件包括第一基板结构，其具有第一基板、设置在第一基板上的电路元件和设置在电路元件上的第一接合说完了。
金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“显示装置及用于执行显示装置的应用的方法“授权公告号CN110333959B,申请日期为2012年8月。专利摘要显示，本发明提供了一种显示装置及其用于执行应用的方法、一种遥控显示装置的外部设备是什么。
金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体装置和操作半导体装置的方法“授权公告号CN110022153B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示，公开了一种半导体装置和操作半导体装置的方法。所述半导体装置包括：数字‑时间转换器神经网络。
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金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括栅电极的三维半导体装置“授权公告号CN109755302B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，提供了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：主分离结构，设置在基底上，并在平行于基底的是什么。
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