摘要：中信证券研报指出，展望功率器件板块2024年发展趋势，我们认为：1)MOS&二三极管行业周期底部逐步明确；2)IGBT短期仍有降价压力，相关本土厂商竞争力已得到充分提升，部分厂商已开启出海之路；长期来看，国产厂商的全球份额仍有提升空间；3)800V驱动SIC功率器件上车节奏加速，同时本等我继续说。
...中信证券研报指出，展望功率器件板块2024年发展趋势，我们认为：1)MOS&二三极管行业周期底部逐步明确；2)IGBT短期仍有降价压力，相关本土厂商竞争力已得到充分提升，部分厂商已开启出海之路；长期来看，国产厂商的全球份额仍有提升空间；3)800V驱动SIC功率器件上车节奏加速，同时本等我继续说。
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南方财经1月18日电，中信证券研报指出，展望功率器件板块2024年发展趋势，我们认为：1)MOS&二三极管行业周期底部逐步明确；2)IGBT短期仍有降价压力，相关本土厂商竞争力已得到充分提升，部分厂商已开启出海之路；长期来看，国产厂商的全球份额仍有提升空间；3)800V驱动SIC功率器件等会说。
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nan fang cai jing 1 yue 1 8 ri dian ， zhong xin zheng quan yan bao zhi chu ， zhan wang gong lv qi jian ban kuai 2 0 2 4 nian fa zhan qu shi ， wo men ren wei ： 1 ) M O S & er san ji guan xing ye zhou qi di bu zhu bu ming que ； 2 ) I G B T duan qi reng you jiang jia ya li ， xiang guan ben tu chang shang jing zheng li yi de dao chong fen ti sheng ， bu fen chang shang yi kai qi chu hai zhi lu ； chang qi lai kan ， guo chan chang shang de quan qiu fen e reng you ti sheng kong jian ； 3 ) 8 0 0 V qu dong S I C gong lv qi jian deng hui shuo 。
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公开号CN117391006A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本公开实施例公开了一种反熔丝电路及电路测试方法，该反熔丝电路包括：第一晶体管；与所述第一晶体管连接的至少一个寄生晶体管和至少一个寄生三极管；所述至少一个寄生晶体管和所述至少一个寄生三极管均连接在第一节说完了。
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金融界2023年12月25日消息，据国家知识产权局公告，杭州士兰微电子股份有限公司取得一项名为“三极管及其制造方法“授权公告号CN109962103B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分神经网络。
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三极管产品的优势包括，产品结构简单、价格较低、耐静电能力强等，在消费类电子、网络通讯、工业、安防等领域对分立器件功耗和频率要求愈发严格的背景下，其市场空间正逐步被MOSFET等元器件取代。据统计，2021年全球三极管市场规模为10.25亿美元，预计到2026年全球三极管市后面会介绍。
证券之星消息，根据企查查数据显示士兰微(600460)新获得一项发明专利授权，专利名为“三极管及其制造方法”，专利申请号为CN201711408816.8,授权日为2023年12月22日。专利摘要：本发明提供了一种三极管及其制造方法，包括介质层，其中，靠近所述第二导电类型外延层的部分厚度的是什么。
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南方财经6月1日电，扬杰科技在互动平台表示，公司MOS、二三极管等功率器件产品已运用到英伟达相关产品。
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金融界10月11日消息，扬杰科技在互动平台表示，公司的IGBT、MOSFET及二三极管产品均有运用于新能源汽车领域，并已经直接向塞力斯和比亚迪供货，其中塞力斯问界系列均搭载公司产品。本文源自金融界AI电报
扬杰科技在互动平台表示，公司MOS、二三极管等功率器件产品已运用到英伟达相关产品。本文源自金融界
商络电子在互动平台表示，公司通过Tier1供应商间接为小米汽车供应阻容感、二三极管、电源芯片等电子元器件。本文源自金融界AI电报
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