摘要：沿第一方向堆叠在所述逻辑芯片的上表面，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；第一胶膜，位于相邻所述存储模块之间，且与所述存储模块粘接；所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述存储芯片具有第二无线通信部，所述第二无线通信部与所述第一无线通信部进行无线神经网络。
...沿第一方向堆叠在所述逻辑芯片的上表面，所述第一方向平行于所述逻辑芯片的上表面；第一胶膜，位于相邻所述存储模块之间，且与所述存储模块粘接；所述存储模块包括多个在第一方向堆叠的存储芯片，所述存储芯片具有第二无线通信部，所述第二无线通信部与所述第一无线通信部进行无线神经网络。
公司回答表示：长电科技提供了包括扇入型晶圆级封装(FIWLP)、扇出型晶圆级封装(FOWLP)、集成无源器件(IPD)、硅通孔(TSV)、包封芯片封装(ECP)、射频识别(RFID)的解决方案。目前公司已具备行业领先的高密度高速存储芯片超薄堆叠封装能力，公司已推出的XDFOI高性能封装是什么。
gong si hui da biao shi ： chang dian ke ji ti gong le bao kuo shan ru xing jing yuan ji feng zhuang ( F I W L P ) 、 shan chu xing jing yuan ji feng zhuang ( F O W L P ) 、 ji cheng wu yuan qi jian ( I P D ) 、 gui tong kong ( T S V ) 、 bao feng xin pian feng zhuang ( E C P ) 、 she pin shi bie ( R F I D ) de jie jue fang an 。 mu qian gong si yi ju bei xing ye ling xian de gao mi du gao su cun chu xin pian chao bo dui die feng zhuang neng li ， gong si yi tui chu de X D F O I gao xing neng feng zhuang shi shen me 。
金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种基于二维沟道的堆叠纳米片器件及其制备方法“公开号CN117650141A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种基于二维沟道的堆叠纳米片器件及其制备方法，属于半导体器件领域。所述后面会介绍。
金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，杭州杭科光电集团股份有限公司申请一项名为“一种Mini-LED灯丝用柔性基板载板自动堆叠转载设备“公开号CN117645159A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明属于LED加工制造技术领域，尤其涉及一种Mini‑LED灯丝用后面会介绍。
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金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，宁德时代新能源科技股份有限公司申请一项名为“电芯模组的堆叠装置及堆叠方法“公开号CN117642922A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本申请涉及电池制造技术领域，特别涉及一种电芯模组的堆叠装置及堆叠方法。本申请的等我继续说。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装“的专利，公开号CN117637657A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体封装包括：基板，包括多个通路；在基板上的芯片堆叠；以及在基板上和在芯片堆叠的至少一部分上的模层。芯好了吧！
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置及其制造方法“公开号CN117637726A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，一种半导体装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片。第一芯片包括第一衬底、第一衬底的上表面上神经网络。
金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“封装结构、半导体管芯及其形成方法“公开号CN117637631A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，提供了具有堆叠的半导体管芯的封装结构及其形成方法，该堆叠的半导体管芯具有波浪还有呢？
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第二上层间绝缘层中的包括最上面的穿通件的最上面的布线、第二上层间绝缘层上的最上面的金属图案、以及第二上层间绝缘层上的用于供应氢的氧化物层。下金属布线可按照多层堆叠。用于供应氢的氧化物层可覆盖最上面的布线。最上面的穿通件的厚度可小于最上面的金属图案的等会说。
所述电容器结构体可包括第一电极、在所述第一电极上的电介质层结构体和在所述电介质层结构体上的第二电极。所述电介质层结构体可包括交替堆叠的多个第一电介质层和多个第二电介质层。所述多个第一电介质层各自可包括反铁电材料，并且所述多个第二电介质层各自包括其中0。..
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