摘要：。这个电场会使载流子发生漂移运动，这一运动与扩散的方向正好相反，二者会达成动态平衡。这两种作用的结果是在PN结处形成一个电子、空穴都很稀少的耗尽层。因为耗尽层中载流子少，其特征类似电容，这一电容也被称为结电容。 当给PN结加正偏压时，耗尽层变薄，如右图所示。当给PN结加负偏压时，耗尽层变厚。 模拟电子电路学习教程[永久失效连结]。...。这个电场会使载流子发生漂移运动，这一运动与扩散的方向正好相反，二者会达成动态平衡。这两种作用的结果是在PN结处形成一个电子、空穴都很稀少的耗尽层。因为耗尽层中载流子少，其特征类似电容，这一电容也被称为结电容。 当给PN结加正偏压时，耗尽层变薄，如右图所示。当给PN结加负偏压时，耗尽层变厚。 模拟电子电路学习教程[永久失效连结]。
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一个可以作为低通滤波器的简单电路包括与一个负载串联的电阻以及与负载并联的一个电容。电容有电抗作用阻止低频信号通过，低频信号经过负载。在较高频率电抗作用减弱，电容起到短路作用。这个区分频率（也称为转换频率或者截止频率（Hz））由所选择的电阻和电容所确定。 f c = 1 2 π R C {\displaystyle。
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yi ge ke yi zuo wei di tong lv bo qi de jian dan dian lu bao kuo yu yi ge fu zai chuan lian de dian zu yi ji yu fu zai bing lian de yi ge dian rong 。 dian rong you dian kang zuo yong zu zhi di pin xin hao tong guo ， di pin xin hao jing guo fu zai 。 zai jiao gao pin lv dian kang zuo yong jian ruo ， dian rong qi dao duan lu zuo yong 。 zhe ge qu fen pin lv （ ye cheng wei zhuan huan pin lv huo zhe jie zhi pin lv （ H z ） ） you suo xuan ze de dian zu he dian rong suo que ding 。 f c = 1 2 π R C { \ d i s p l a y s t y l e 。
电解电容是一种按结构、制作工艺划分的电容种类。通常，电解电容是一种有极性的电容。电解电容的阳极采用可钝化的金属材料，比如铝、钽、铌、钛等；介电材料为阳极金属材料表面生成的致密氧化物薄膜；电解电容的阴极材料为电解质。电解电容的主要特点是，在相同的体积下，可以得到比普通电容大得多的电容量（假设耐压相等）。。
电容率，两个宏观的电极化性质。或者，可以直接从实验测量出介电质的电极化率和电容率。假若置入了具有高电容率的介电质，则平行板电容器的电容会大幅增加，储存於两块金属平行板的正负电荷也会增加。一个用来衡量电介质特性的参数是介电常数κ。假如一种绝缘体充满两个平行板电容器之间会使得该电容器的电容增加κ。
在交流电路（如串联RLC电路）中，电抗（英语：Reactance）是类似于直流电路中电阻对电流的阻碍作用，用於描述电容及电感对电流的阻碍作用，其计量单位也是欧姆。在交流电路分析中，电抗用 X 表示，是复数阻抗的虚数部分，用于表示电感及电容对电流的阻碍作用。电抗随着交流电路频率而变化，并引起电路电流与电压的相位变化。 阻抗即电阻与电抗的总合，用数学形式表示为：。
在电磁学裏，相对电容率，又称为相对介电常数，定义为电容率与真空电容率的比例∶ ε r = d e f ε ε 0 {\displaystyle \varepsilon _{r}\ {\stackrel {\mathrm {def} }{=}}\ {\frac {\varepsilon }{\varepsilon。
作用与反作用定律又分为两种版本：强版本和弱版本。这里，第三定律所表述的是「弱版作用与反作用定律」。而「强版作用与反作用定律」，除了弱版作用与反作用定律所要求的以外，还要求作用力和反作用力都作用在同一条直线上。万有引力与静电力都遵守强版作用与反作用定律。可是，在某些状况下，作用力和反作用力并不同线（两作用点的连线）。。
capacitor）有时也称为电双层电容器，或超级电容器，是拥有高能量密度的电化学电容器，比传统的电解电容容量高上数百倍至千倍不等，其容量和性能介于电解电容和蓄电池之间。超级电容的吞吐速度可比电池快得多，充放电周期也远多于蓄电池。 一个標准电池大小的电解电容电容为几十微法拉，但同样大小的EDLC的则可以达到几法拉，差別可达五个数量。
应产生。轴电压也可能来自外部来源，例如其他耦合机械，或是因为马达推动的滑轮和橡皮皮带摩擦产生的静电电荷。 转子和马达绕组一定有某程度的电容耦合，但等效寄生电容的作用类似高通滤波器，因此在50-60 Hz的电源频率，耦合的效应不强。但变频器因为使用脉波宽度调变（PWM）来控制交流电动机，其IGBT的。
在电路学里，给定电压，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），標记为C。採用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），標记为F。 平行板电容器是一种简单的电容器，是由互相平行、以空间或介电质隔离的两片薄板导体构成。假设这两片导板分別载有负电荷与正电荷，所载有的电荷量分別为 − Q。
在量子力学裏，一个粒子因为自旋与轨道运动而产生的作用，称为自旋-轨道作用（英语：Spin–orbit interaction），也称作自旋-轨道效应或自旋-轨道耦合。最著名的例子是电子能级的位移。电子移动经过原子核的电场时，会产生电磁作用．电子的自旋与这电磁作用的耦合，形成了自旋-轨道作用。
动圈式麦克风因为含有线圈和磁铁，不像电容式麦克风轻便，灵敏度较低，高低频响应表现较差。优点是声音较为柔润，適合用来收录人声。 电容式麦克风（Condenser Microphone） 並没有线圈及磁铁，靠著电容两片隔板间距离的改变来产生电压变化。当声波进入麦克风，振动膜产。
在电磁学裏，介电质响应外电场的施加而电极化的衡量，称为电容率。在非真空中由於介电质被电极化，在物质內部的总电场会减小。电容率关係到介电质传输（或容许）电场的能力。电容率衡量电场怎样影响介电质，怎样被介电质影响。电容率又称为「绝对电容率」。 在国际单位制中，电容率的测量单位是法拉每公尺（F/m）。真空的电容率，称为真空电容率，或「真空介电常数」，標记为。
真空电容率，又称为真空介电系数，或电常数，是一个常见於电磁学的物理常数，符号为 ϵ 0 {\displaystyle \epsilon _{0}} 。在国际单位制裏，真空电容率的数值为： ϵ 0 ≈ 8.854 187 817 。 × 10 − 12 {\displaystyle \epsilon。
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电容（通常会在半年內损毁）还是制造出来，且还是被制造厂选用进去。 在2005年5月，有些跡象显示出在iMac、英特尔、戴尔主机板內有瑕疵的尼吉康（英语：Nichicon）电容是由於其他问题（填充过量电解液的电容）而导致，而並不是因为错误的电解液成分所造成。然而，正常的电容在系统的作用。
effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。 输入电容的增长值为 C M = C ( 1 +。
电容和电源电压串联。若不考虑漏电流的效应，也假设没有负载，其输出电压会是输入电压的两倍（原始的电源电压加上电容器两端的电压）。较高输出电压的脉冲特性可以用输出的滤波电容器来滤波。 以图一为例，电荷泵的电容CP先由电源充电，之后电容CP和输出电容。
电容在本质上有很大的容值误差。多层陶瓷电容会有颤噪杂讯（microphonic）问题，材质多半易碎。 玻璃及云母电容的可靠度非常高，很稳定，也可以在高温及高压下运作，不过其价值太贵，因此主流应用很少用到。 电解电容及超级电容都可以储存能量，超级电容储能效果又电解电容要好。陶瓷电容多半会用到LC电路上。。
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memory，SRAM）相比，具有更高的密度和较低的成本。 在DRAM中，每个记忆单元由一个电容和一个开关电路组成，主要的作用原理是利用电容內储存电荷的多寡来代表一个二进制位元（bit）是1还是0。 由於电晶体会有漏电流的现象，导致电容上所储存的电荷数量並不足以正確的判別数据，进而导致数据毁损。因此对於DRAM来。
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bias）进行隔离。因此，电容耦合有时又被称为“交流耦合”，其中用到的耦合电容常被称为“直流隔离电容”。如果描述的对象特指直流信号，那么可以用“去耦合电容”来描述电容耦合对于直流信号的阻挡。电容耦合的缺点在于，它将使低频信号在通过耦合时被削弱。耦合电容。
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